功率半導體器件是(shì)幾(jǐ)乎所有電子(zǐ)製(zhì)造行業使(shǐ)用的電(diàn)子電源係統的核心部件。典型應用領域包括消費電子、移動通信(xìn)、電子設備等。這種半導體(tǐ)類型在(zài)功率器件等特定應用中發揮了關鍵作用。Si仍然是(shì)該領(lǐng)域半導體(tǐ)和(hé)集亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91電路中使用(yòng)*廣泛的材料,超過90%的器件使用矽作為材料。然而,隨著器件尺寸(cùn)的縮小,Si的性能逐漸無法滿足各種應用的要求。
金(jīn)剛石半導(dǎo)體的輸出功率值為全球*高,被稱為“**功率(lǜ)半導體”。目前使用金剛石的電力控製用半導(dǎo)體的開發取得進展。與作(zuò)為(wéi)新一代功率半(bàn)導體的碳化矽(SiC)產品和氮化镓(GaN)產品相比,耐高電壓等性(xìng)能出色,電力損(sǔn)耗被認(rèn)為可減少到矽(guī)製產品的五萬分之一,具有(yǒu)良好的應用(yòng)前景。
金(jīn)剛(gāng)石商業化整合現狀
SiC和GaN已實現商業化,SiC器件常用於大功率轉換(huàn)器和逆變器,如英飛淩的CoolSiCTM MOSFET 係列和Nexperia的1200V SiC MOSFET 係列。GaN 通常用於高速開關,以實現*低(dī)的開關損耗,如英飛淩的CoolGaNTM 600V 係列。β-Ga2O3和金剛(gāng)石(shí)器件目前正處於研究階段(duàn)。可以看出,盡管金剛石器(qì)件的研究起步較晚,但其(qí)高BFOM的優勢已(yǐ)開始得(dé)到體現。根據研究,金剛石似乎是**一種(zhǒng)電阻率隨溫度急劇(jù)下降的半導體。這是金剛石在功率方麵(miàn)的優勢,凸顯了它在電(diàn)力電(diàn)子領域的(de)重要性。
然而(ér),盡管金剛石器件具有如此理想的特性,並在研(yán)究(jiū)方麵取得了重大突(tū)破,但要(yào)與現有(yǒu)技術相結合並進一步實現商業化,還有很長的路要走。要發揮金剛石的優(yōu)勢,還需要進一步提高器件的性能。下麵列出了對(duì)金剛石器件相關參數的期望(wàng)值。
1、BV:對於二極管器件,目前垂直器件的擊穿電壓一般大於1kV,*高接近10kV;未來的目(mù)標是在(zài)不影(yǐng)響導通電流的情況下突破(pò)10kV。對於場效應晶體管,目前*高(gāo)擊穿電壓為2~4kV;未來應突破0kV以上。
2、導通電流:大多數器件的開態電流在1~10A 之間(jiān),未來的目標(biāo)應是實現10A 以上的應用。二極管的電流密度有望突破100KA/cm2,場效(xiào)應管突破10A/mm。
3、開關速度:目前金剛石二極管的回轉速度小於10V/ns,未(wèi)來有望超(chāo)過 100V/ns。
4、BFOM:目前(qián)金剛石二極管和(hé)場效應晶體管的BFOM值主要(yào)在10至103MV/cm2 之間,理想情況下,在*大擊(jī)穿場強接近10MV/cm時(shí),BFOM值應超過104MV/cm2。
金剛石功率半(bàn)導體可應用場景
1、電力電子器件:
晶閘管(guǎn)和IGBT:金剛石(shí)的高熱導率和耐高溫特性可以用於製造更高效、更可靠的晶(jīng)閘管和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
功率MOSFET:金剛石功率MOSFET可以在更高的電壓和頻率下工(gōng)作,適用於高效能(néng)源轉(zhuǎn)換。
2、電動汽車:
逆變器:電動(dòng)汽車中(zhōng)的逆(nì)變器需要高效、耐高溫的半(bàn)導體材料,金剛石功率半(bàn)導體(tǐ)可以提升逆變器(qì)的性能。
充電設備:快速充電站可以(yǐ)使(shǐ)用金剛石半導體來提高充電效率並減少發(fā)熱。
3、可再生能源:
太(tài)陽能逆變器:金剛石半導體可以提高太陽能逆變器的效率和壽命。
風力發電:風力發電係(xì)統中的變流器(qì)可以使用金剛石功率半導體來實現(xiàn)更高的效率(lǜ)和可靠性。
4、工業應用:
電機驅動:金剛石功率半導體可用於高效率的電機驅動器,特別是在高溫或惡劣環(huán)境下。
高頻焊接:金剛石半導體可用於高頻焊接設備,提高焊接質量和(hé)效率(lǜ)。
5、航空航天:
電源管理(lǐ):在航空航天領域,金剛石功率(lǜ)半導(dǎo)體可用於電源管理,以實現輕(qīng)量化、高效率和耐高溫的電子係(xì)統。
6、軍(jun1)事和國防:
雷達係統:金剛石半導體可以用於雷達係統中的高(gāo)頻和高功率組件。
電子戰:在電子戰設備中(zhōng),金剛石(shí)半導體的耐高溫和高頻(pín)特(tè)性可以提高係統的性能。
金(jīn)剛石商業化整合的挑戰
在集(jí)亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91和商業應用方麵,主要的半導體公司尚未將金剛石用於設備(bèi)。以下是將金剛石(shí)與現有技術(shù)集(jí)亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91並實現商業應用所麵臨的挑戰和一些解決方案:
1、材(cái)料質量和亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91本(běn)控製:高質量(liàng)的電子級金剛石晶片生產亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91本高昂,而且尺寸通常(cháng)較(jiào)小(小於1英寸)。未(wèi)來通過HPHT和MPCVD生長的晶片應超過2英寸(cùn),通過異質外延和拚接方法獲得的晶(jīng)片應超過4英寸。
2、摻(chān)雜技術: 目前(qián)缺乏有效的n型摻雜方法,p型摻雜孔(kǒng)的濃度較低。文章已經提到了尋找新的生長方向以提高摻雜效率(lǜ),以及通過共摻雜實現n型摻雜的技術。未來有望獲得高於1021cm-3的p型摻(chān)雜(zá)濃度和高於(yú)1016cm-3的n型摻雜(zá)濃度,從而實現大功率應用。
3、可靠性(xìng):金剛石器件的可靠性和使用(yòng)壽命尚(shàng)未得到充分驗證。可靠性測試方(fāng)麵的研究較(jiào)少,需要通過建立(lì)更多的模擬模型和測試實際器件來實現。
4、熱管理和封裝:根(gēn)據研究,金(jīn)剛石似乎是**一種電阻率隨溫度急劇下降的半導體。這固然是(shì)一個優點,但也帶來了一些問題,即金剛石器件的(de)*佳工作狀態在不(bú)同溫度(dù)下會(huì)發生變化,這給設計帶來了困難。由於這種獨特的溫度特性,目前還沒有適用於金剛(gāng)石的(de)封裝技術。需要考慮電磁兼容性(EMC)問題。為了提高封裝的(de)可靠性和長期穩定性,需要使用特殊的(de)材料和設計,並可能包(bāo)括有助於散熱(rè)的集亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91熱結構。
5、器件性能:金剛(gāng)石器件需要進一步提(tí)高擊穿電壓。目前的實驗(yàn)器件樣品量小,參數不夠穩定(dìng),而商業產品需要(yào)穩定的性能。這將通過完(wán)善摻雜(zá)技術和引入(rù)更多(duō)功率器(qì)件結構來實現(xiàn),如(rú)絕(jué)緣柵雙極晶體管 (IGBT)、重浮結構和超級結結構,這些都依賴於p-n結(jié)的實現。
6、亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91本:這是金剛石(shí)商業化的一個主要障礙。目(mù)前金剛石的生產(chǎn)亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91(chéng)本遠遠高於矽、碳化矽和氮化(huà)镓等亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91熟的半導體材(cái)料。用於半導體研究的金剛石材(cái)料價格是(shì)矽(guī)材料價格的幾千(qiān)到幾萬(wàn)倍。
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