12月(yuè)5-7日,由(yóu)DT新材料主辦(bàn)的第八屆國際碳材料大會暨產業展(zhǎn)覽會(Carbontech 2024)將在上海新國際博覽(lǎn)中心隆重舉辦。同期針對半導(dǎo)體與加工主題特設(shè)4大論壇,寬禁帶半導體及創新應用(yòng)論壇、超硬材料與超精(jīng)密加工論壇、金剛石前沿應用與產業發展論壇、培育鑽石論壇,已邀請國內(nèi)外知(zhī)名專(zhuān)家和企業蒞臨交流,歡迎報名。
隨(suí)著第三代半(bàn)導(dǎo)體的發(fā)展,電子器件向著高功率、小型化、集亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91化方向發展,器(qì)件的散熱問題已經亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91為關鍵,傳統(tǒng)散熱技(jì)術已難以滿足(zú)第三(sān)代半導體器件高熱流的散熱要求,由(yóu)此帶來的溫(wēn)度堆積問題亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91為產(chǎn)業亟待解決的問題。
據國際半導體技術藍(lán)圖(ITRS)相(xiàng)關預測,到2020年,集亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91電路功率密度將增加至(zhì)100W/cm2,而實際情況已大大超出預期,電子芯片的熱流密度已超500W/cm2,熱點處更是高達1000W/cm2。由於傳統散熱材(cái)料/器件散熱能力的不足,第三代半導體器件隻能發揮其理論性能的20%-30%。
金剛石基材料被稱為“**”散熱材料,是大功率電子器件、半導體芯片、5G 通信、T/R 組件等器件的關鍵散熱材料。從上圖可以看(kàn)出,金剛石的熱導(dǎo)率*高,同時遷移率(lǜ)和擊穿電場也高,因此(cǐ)也可以作為熱沉材料。
製(zhì)備方法
製(zhì)備方法有化學氣(qì)相沉積(CVD)方法和高溫高壓HTHP法。
優缺(quē)點:高溫高壓(HTHP)法合亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91的金剛石晶粒尺寸較小,限製(zhì)了其在大麵積散(sàn)熱領域的應用;而 CVD 法能夠合亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91尺寸較大的金剛石散(sàn)熱片,主要(yào)是CVD法。
CVD法:包括熱絲化學氣相沉(chén)積(jī)法、直流等離子體噴射化學氣相沉(chén)積法和微波等(děng)離子體化學氣相沉積法(MPCVD)。其中微波等離子體化學(xué)氣相沉積法,具有(yǒu)微波能量無汙染和氣體(tǐ)原(yuán)料純淨等優勢(shì),在眾多金剛石製備方法(fǎ)中脫穎而出,亚洲精品乱码久久久久久蜜桃91(chéng)為製備大尺寸和高品質多晶金剛(gāng)石*有發展前景的(de)技術(shù)。
金剛石散熱應用
金剛(gāng)石與半(bàn)導體器件的應用,一是采用直接沉積,二是采用鍵合的方法。直接沉積,由於存在(zài)晶格失配嚴重,沉積較為(wéi)困難(nán),有采用MBE或者MOCVD來進行沉積。如下圖,在GaN背麵沉(chén)積外延層25um的金(jīn)剛石層,製備出高效散熱的AlGaN/GaN HEMT器件。
GaN 背麵生長金剛石 圖源(yuán):公開網絡
低溫鍵合工藝 圖源:公開網絡
金剛石作為熱沉(chén)材(cái)料,應用在半導體激光器中,通過磁(cí)控濺射係統在CVD金剛石熱沉片表麵沉積 Ti/Pt/Au多(duō)層(céng)膜,作為金屬化層。通過電(diàn)子束蒸發係統沉積10um厚的(de)In膜,作為半導體激光器封(fēng)裝焊料層。如下圖,采用高精度貼(tiē)片機,以COS(chip on submount)結構將半導體激光(guāng)器(qì)線陣貼片於金剛石熱沉表麵,並貼片於銅基水冷熱沉。
金剛(gāng)石作為熱(rè)沉材(cái)料 圖源:公(gōng)開網絡
發展趨勢
金剛石基材料具(jù)有具(jù)有獨特的物理和化學性質,如高熱導率(lǜ)、高磨(mó)損性、高化學穩定性,在高功率半導體器件、光電器件、能源、航空航天具有廣泛的應用。基於此材料的(de)高效散熱技術有望解決高熱流(liú)散熱難題,我們期待器件的散熱問題能夠得到較好的解決(jué),提高(gāo)器件的可靠性以及穩定性,提高國家的前(qián)沿技術競爭力以及產業水平。
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